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單項(xiàng)選擇題

材料燒結(jié)時(shí)，晶粒生長(zhǎng)是晶界移動(dòng)的結(jié)果，為保證晶粒正常生長(zhǎng)，應(yīng)控制晶界移動(dòng)速率V_b與氣孔移動(dòng)速率V_p，當(dāng)（）時(shí)，晶粒正常長(zhǎng)大。

A.V_b=V_p
B.V_b>V_p
C.V_b< V_p
D.二者沒(méi)有關(guān)系

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多項(xiàng)選擇題

提高物料燒結(jié)活性的途徑有（）。

A.提高物料粒度
B.降低物料粒度
C.采用不同形式的母鹽及熱分解條件來(lái)制備活性氧化物
D.以上措施皆可

單項(xiàng)選擇題

物料粒度越大，燒結(jié)速率（）；提高燒結(jié)溫度、延長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間、提高成型壓力一般會(huì)（）燒結(jié)。

A.越快；促進(jìn)
B.越快；阻礙
C.越慢；促進(jìn)
D.越慢；阻礙?

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