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單項選擇題

源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。

A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴(kuò)散

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單項選擇題

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

單項選擇題

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)