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問答題

【簡答題】列舉兩種集成電路制造中的器件隔離結構，并比較其優(yōu)缺點。

答案：兩種最常用的隔離結構：局部氧化隔離法隔離（LOCOS）和淺溝槽隔離（STI）。
局部氧化隔離法會產(chǎn)生&ldqu...

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【簡答題】IC制造中常采用什么方法形成金屬層？它的作用是什么？

答案：金屬層的形成主要采用物理汽相沉積（Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD）技術...

【簡答題】摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點。

答案：摻雜的目的是形成特定導電能力的材料區(qū)域，包括N型或P型半導體區(qū)域和絕緣層，以構成各種器件結構。
摻雜的方法有：...

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