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單項選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
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氧化層中摻雜了硼雜質,一般稱為()。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
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如果制作柵氧結構,一般采用的方法是()。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
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