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填空題

常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由（）、（）、（）、（）、（）等工藝手段組成。

答案：光刻；氧化；擴(kuò)散；刻蝕；離子注入（外延、CVD、PVD）

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濕法腐蝕的特點(diǎn)是（）、（）、（）、（）。

答案：選擇比高；工藝簡單；各向同性；線條寬度難以控制

濕法腐蝕Si所用溶液有（）、（）等，腐蝕SiO₂常用的腐蝕劑是（），腐蝕Si₃N₄常用的腐蝕劑是（）。

答案：硝酸-氫氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸