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雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種:間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。
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基區(qū)主擴(kuò)散屬于有限表面源擴(kuò)散。
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預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量,而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。
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