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實(shí)現(xiàn)對(duì)CVD淀積多晶硅摻雜主要有三種工藝:擴(kuò)散、離子注入、原位摻雜。由于原位摻雜比較簡(jiǎn)單,所以被廣泛采用。
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CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng),在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。
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判斷題
常用的濺射鍍膜方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射,其中磁控濺射的氣壓最低、靶電流密度最高。
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