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問答題
【簡答題】從存儲機理、芯片結(jié)構(gòu)和應(yīng)用三個方面比較SRAM和DRAM。
答案：
SRAM的存儲機理：存儲電路由多個MOS管組成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器為核心，在不掉電的情況下可保持一個邏輯“0&rd...
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問答題
【簡答題】內(nèi)存的速度怎樣定義？什么是內(nèi)存的帶寬？
答案：
描述內(nèi)存的速度的最主要指標是讀取時間：讀取時間=從發(fā)出讀出命令到信息穩(wěn)定在存儲器輸出端的時間，一般單位為ns（10-9秒...
問答題
【簡答題】與硬盤、RAM相比較，F(xiàn)lash存儲器有什么優(yōu)勢和缺陷？
答案：
Flash存儲器與硬盤相比具有存取速度快、體積小、重量輕、無噪音、抗震動、抗電磁干擾、功耗低等優(yōu)勢，但是容量低，單位容量...
