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問答題

【簡答題】室溫下，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，試求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每10⁶個鍺原子中有一個雜質(zhì)原子，計算室溫下電子濃度和空穴濃度。設雜質(zhì)全部電離。鍺原子的濃度為4.4×10²²cm^-3，試求該摻雜鍺材料的電阻率。設μ_n=3600cm²/V·s，且認為不隨摻雜而變化。n_i=2.5×10¹³cm³。

答案：

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【案例分析題】現(xiàn)有三塊半導體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3分別計算這三塊材料的費米能級的位置。

答案：

【案例分析題】現(xiàn)有三塊半導體硅材料，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為：p₀₁=2.25×10¹⁶cm^-3，p₀₂=1.5×10¹⁰cm^-3，p₀₃=2.25×10⁴cm^-3判斷這三塊材料的導電類型

答案：

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