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單項(xiàng)選擇題

對于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時，減少摻雜濃度，將導(dǎo)致（）靠近Ei

A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. E<sub>F</sub>

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單項(xiàng)選擇題

在Si材料中摻入P，則引入的雜質(zhì)能級（）。

A. 在禁帶中線處
B. 靠近導(dǎo)帶底
C. 靠近價帶頂
D. 以上都不是

在熱力學(xué)溫度零度時，能量比F_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（）。

答案：等于0；大于1/2

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