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【簡答題】簡述常壓單晶外延和多晶薄膜沉積裝置。
答案:
三種裝置不僅可以用于硅外延生長,也較廣泛的用于GaAs,AsPAs,GeSi合金和SiC等其它外延層生長;還可用于氧化硅...
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