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問答題
【計算題】
（1）試證明在室溫下，當(dāng)半導(dǎo)體的電子濃度
時，其電導(dǎo)率為最小值，求在上述條件下的空穴濃度。
（2）當(dāng)ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征電導(dǎo)率和電波電導(dǎo)率。
（3）當(dāng)n0和p0為何值時，電導(dǎo)率等于本征電導(dǎo)率。
答案：
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問答題
【計算題】
現(xiàn)有三個半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3
（1）分別計算這三個樣品的電子濃度
（2）判別這三個樣品的導(dǎo)電類型
（3）計算這三個樣品的費(fèi)米能級的位置
答案：
對這三塊材料分別計算如下：
即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級在禁帶中線下0.37eV處
對這三塊材料分別計算如下：
即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級在禁帶中線下0.37eV處
