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問答題

【簡答題】雜質在硅中有哪些擴散機制？

答案：

①間隙式擴散；
②替位式擴散。

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【簡答題】簡述熱生長氧化層與沉積氧化層的區(qū)別。

答案： ①結構及質量：熱生長的比沉積的結構致密，質量好。
②成膜溫度：熱生長的比沉積的溫度高?？稍?00℃獲得沉積氧化...

【簡答題】簡述硅熱氧化工藝中影響二氧化硅生長的因素。

答案： ①氧化溫度；
②氧化時間；
③摻雜效應：重摻雜的硅要比輕摻雜的氧化速率快
④硅片晶向：<1...

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