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問答題

【簡答題】簡述倒摻雜阱技術(shù)的步驟。

答案：連續(xù)三次離子注入
①第一次高能量（＞200KEV）、深結(jié)（~1.0μm）倒摻雜注入，以減小CMOS器件的...

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②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；

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答案： ①雙阱工藝：備片→初氧氧化→光刻N(yùn)阱區(qū)→N阱磷注入→刻蝕初氧層→光刻P...

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