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單項選擇題

下列有關漏磁通的敘述，哪些是正確的（）

A、內部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B、缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C、表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開表面距離的增加而急劇減弱
D、用有限線圈磁化長的試件，不需進行分段磁化

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單項選擇題

下列關于缺陷形成漏磁通的敘述，正確的是（）

A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時的漏磁通要小
D．在磁場強度、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對

單項選擇題

工件磁化后表面缺陷形成的漏磁場（）

A、與磁化電流的大小無關
B、與磁化電流的大小有關
C、當缺陷方向與磁化場方向之間的夾角為零時，漏磁場最大
D、與工件的材料性質無關

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