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單項(xiàng)選擇題

光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）

A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形

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單項(xiàng)選擇題

介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅

單項(xiàng)選擇題

二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

A.預(yù)
B.再
C.選擇

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