99色精品-9色在线-99色在线-99色视频国产欧美日产一区二区三区_亚洲精品亚洲人成在线观看_四虎在线精品永久观看_免费一级a一片久久精

<abbr id="u9ezx"><output id="u9ezx"><ruby id="u9ezx"></ruby></output></abbr>

<em id="u9ezx"></em>

問答題

【論述題】簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

你可能感興趣的試題

【論述題】說明影響氧化速率的因素。

答案： 1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

【論述題】簡述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO₂介質(zhì)薄膜的動力學(xué)過程，并說明在什么情況下氧化過程由反應(yīng)控制或擴(kuò)散控制。

答案：迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測氧化層厚度，熱氧化過程主要分為以下三個過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式穿過滯留層...

<ins id="vmxbf"></ins>