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單項(xiàng)選擇題

表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。

A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴(kuò)散系數(shù)

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多項(xiàng)選擇題

（）的方法有利于減少熱預(yù)算。

A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強(qiáng)氧化

單項(xiàng)選擇題

當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴(kuò)散速率
D.壓力

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