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單項(xiàng)選擇題
離子源腔體中的氣體放電形成()而引出正離子的。
A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流
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多項(xiàng)選擇題
離子注入的主要?dú)怏w源中,易燃、易爆的有()。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣
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多項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中,離子注入主要是用來()。
A.氧化
B.改變導(dǎo)電類型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜
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