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多項(xiàng)選擇題

哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。

A.低溫注入
B.常溫注入
C.高溫注入
D.分子注入
E.雙注入

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多項(xiàng)選擇題

下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大?。海ǎ?。

A.注入離子的質(zhì)量
B.靶的種類(lèi)
C.注入溫度
D.注入速度
E.注入劑量

單項(xiàng)選擇題

當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對(duì)應(yīng)連續(xù)（）的形成。

A.非晶層
B.單晶層
C.多晶層
D.超晶層

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