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多項選擇題

在半導體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。

A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加

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多項選擇題

在半導體工藝中，淀積的薄膜層應滿足的參數(shù)包含有（）。

A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應力
D.純凈度
E.電容

單項選擇題

為了防止抽氣設備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個（）或采用無油泵。

A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵

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