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單項(xiàng)選擇題
下列有關(guān)漏磁通的敘述正確的是（）。
A.內(nèi)部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B.缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開(kāi)表面距離的增加而急劇減弱
D.用有限線圈磁化長(zhǎng)的試件，不需進(jìn)行分段磁化
