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GaAs以及InP的禁帶寬度分別為();(),與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。
答案:
1.42ev、1.35ev
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填空題
太陽能單一結(jié)電池片可以分為();()、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。
答案:
同種材料pn結(jié)型、異質(zhì)表面性
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填空題
在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中,為了得到20%以上的高效率,必須讓結(jié)合深度在()以下的淺層處,因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中,通入插入寬禁帶寬度的窗層,增加結(jié)合深度高定的自由度,就可以實現(xiàn)高效率。
答案:
50nm
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