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問答題

【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=5×10¹⁵cm^-3，計算金屬鋁-硅肖特基接觸平衡態(tài)的反向電流J_sT、正偏電壓為5V時的電流。計算中取理查森常數(shù)A^*=264Acm^-2·K^-2。

答案：

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【計算題】T=300K，n型硅襯底雜質(zhì)濃度為N_D=10¹⁶cm^-3，計算肖特基勢壘高度Φ_B0、半導(dǎo)體側(cè)的接觸電勢差V_bi、空間電荷區(qū)厚度W。

答案：

【計算題】在N_A=10¹⁵cm^-3的p型硅<111>襯底上，氧化層厚度為70nm，SiO₂層等效電荷面密度為3×10¹¹cm^-2，計算MOSFET的閾值電壓。

答案：

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