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對(duì)于一個(gè)PN結(jié),如果反偏電壓降低,耗盡區(qū)寬度將減小。
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判斷題
標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝中的縱向NPN晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)小。
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判斷題
從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看,工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。
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