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判斷題

在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。

答案：正確

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晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對準(zhǔn)技術(shù)，一次摻雜成功。

答案：正確

在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入。

答案：正確