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判斷題

P是VA族元素，其摻雜形成的半導(dǎo)體是P型半導(dǎo)體。

答案：正確

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離子注入中靜電掃描的主要缺點(diǎn)是離子束不能垂直轟擊硅片，會(huì)導(dǎo)致光刻材料的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入。

答案：正確

離子注入會(huì)將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。

答案：正確

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