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單項選擇題

懸浮區(qū)熔法檢驗多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。

A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ

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單項選擇題

光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。

A．簡單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡單較小
D．復(fù)雜較小

單項選擇題

（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。

A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷

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