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單項選擇題

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護氣中，在（）攝氏度以上進行常規(guī)熱處理。

A、300
B、400
C、500
D、600

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單項選擇題

如果半導體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.

A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp

【簡答題】用冷熱探筆法測量P型半導體時，為什么冷端帶正電，熱端帶負電？

答案：樣品為P型材料，載流子的熱運動速度與溫度有關(guān)，熱區(qū)的空穴熱運動速度大，冷區(qū)的空穴熱運動速度小。因此，熱端向冷端運動的空穴...

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