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單項(xiàng)選擇題

采用真空提高絕緣強(qiáng)度的理論依據(jù)是（）。

A、湯遜理論
B、流注理論
C、巴申定律
D、“小橋”理論

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單項(xiàng)選擇題

流注理論未考慮（）的現(xiàn)象。

A、碰撞游離
B、表面游離
C、光游離
D、電荷畸變電場

單項(xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是在弱電場下電介質(zhì)出現(xiàn)的電氣現(xiàn)象（）。

A、極化
B、閃絡(luò)
C、電導(dǎo)
D、介質(zhì)損耗

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