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無論是堿性操作過程還是酸性操作過程中硅都容易被氧化。
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使用單孔拉瓦爾噴嘴時(shí),氧射流對(duì)熔池的沖擊能力強(qiáng),沖擊面積小,所以化渣速度較慢,噴濺較大。
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溫度低有利于Si的氧化。
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