單項(xiàng)選擇題

關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

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單項(xiàng)選擇題

關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個(gè)帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流
D.硅的價(jià)電子比鍺的價(jià)電子越容易擺脫束縛（相同情況）

單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁

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關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

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關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

電路如圖所示。求（）。

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關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

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電路如圖所示。求（）。