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單項(xiàng)選擇題

“從CsCl晶體中可以抽象出立方體心點(diǎn)陣”這一表述（）。

A. 正確
B. 不正確，因?yàn)?ldquo;立方體心”不滿(mǎn)足點(diǎn)陣定義，不是一種點(diǎn)陣
C. 不正確，CsCl晶體的點(diǎn)陣為立方簡(jiǎn)單

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單項(xiàng)選擇題

立方面心點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光規(guī)律是（）。

A.h+k+l=奇數(shù)
B.h+k+l=偶數(shù)
C.h、k、l奇偶混雜

單項(xiàng)選擇題

CeO₂具有立方面心點(diǎn)陣，負(fù)離子堆成的簡(jiǎn)單立方空隙有50%被正離子占據(jù)，其結(jié)構(gòu)型式為（）。

A.CsCl型
B.六方ZnS型
C.CaF₂型

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