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填空題

免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。

答案：降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護(hù)環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底

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閂鎖效應(yīng)（可控硅效應(yīng)），是CMOS電路遇到的（）問題。在CMOS電路正常工作時(shí)，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。

答案：破壞性；寄生晶體管；大幅上升；連線熔斷

開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對值（）。

答案：載流子濃度；厚度；固定電荷密度；可動電荷密度；界面態(tài)密度；越高；越高