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多項(xiàng)選擇題

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝

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單項(xiàng)選擇題

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

單項(xiàng)選擇題

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

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