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判斷題
自由電子帶負電，空穴帶正電。
答案：
正確
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問答題
【簡答題】試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。
答案：
B：P型雜質(zhì)，OED；
P：N型雜質(zhì)，深結(jié)，OED；
AS：N型雜質(zhì)，離子注入精確控制結(jié)深。
