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單項(xiàng)選擇題

刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的（）。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

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單項(xiàng)選擇題

下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。

A.4HF+Si=SiF₄+2H₂↑
B.CF₄+SiO₂——→SiF₄+CO₂↑
C.CF₄+SiO₂+O₂——→SiF₄+CO₂↑
D.SiO₂+4HF——→SiF₄+2H₂O

單項(xiàng)選擇題

磷硅玻璃的主要組成是（）和（）。

A.P，Si
B.P₂O₅，Si
C.P₂O₅，O₂
D.P，SiO₂

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