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單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
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單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
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單項(xiàng)選擇題
正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是()
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
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