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為了降低電力晶體管在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中的損耗,提高系統(tǒng)的安全可靠性,必須采用合理的()驅(qū)動電。
A、基極
B、集電極
C、柵極
D、發(fā)射極
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絕緣柵雙極型晶體管簡稱()。
A、MOSFET
B、IGBT
C、GTR
D、GTO
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TTL集成邏輯門電路內(nèi)部是以()為基本元件構(gòu)成的。
A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場效應(yīng)晶體管
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