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單項選擇題

P-Sub的理想MOS結構襯底的費米勢應該是（）的；強反型時，其空間電荷區(qū)中的電荷應該是（）的

A.正，正
B.正，負
C.負，正
D.負，負

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單項選擇題

不影響MOS管閾值電壓的參數(shù)有（）

A.柵氧厚度
B.襯底濃度
C.源漏區(qū)的長度
D.有效表面態(tài)電荷

單項選擇題

關于雙極型晶體管（BJT）的基區(qū)，基區(qū)寬度越（），載流子傳輸過程中的損失越小，基區(qū)濃度越（），載流子傳輸過程中的損失越大

A.大，高
B.大，低
C.小，高
D.小，低

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