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問答題
【簡(jiǎn)答題】HPGe探測(cè)器也是一種PN結(jié)探測(cè)器嗎？為什么它可以實(shí)現(xiàn)較大的結(jié)區(qū)厚度？
答案：
是。因?yàn)镠PGe探測(cè)器所用的Ge材料雜質(zhì)濃度很小，僅為1010原子/cm3；
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問答題
【簡(jiǎn)答題】為什么PN結(jié)探測(cè)器結(jié)區(qū)不能做得很厚？這個(gè)缺點(diǎn)帶來了什么問題？
答案：
因?yàn)镾i材料的摻雜濃度無法做得很小，因此同樣反向電壓下，結(jié)區(qū)的厚度不大，僅為mm量級(jí)。雖然可以通過提高反向電壓來增大厚度...
問答題
【簡(jiǎn)答題】增加金硅面壘探測(cè)器的反向電壓，會(huì)有什么好處，又會(huì)有什么壞處？應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大小？好處是
答案：
增大靈敏體積，減小結(jié)電容（電容噪聲?。?；
壞處是反向電流會(huì)增大；
反向電壓有一個(gè)最優(yōu)值，此時(shí)能量分辨率最好。
