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單項(xiàng)選擇題
方法不能獲得過(guò)飽和點(diǎn)缺陷()。
A.高溫淬火
B.冷變形
C.輻照
D.退火
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單項(xiàng)選擇題
實(shí)際晶體強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于理論強(qiáng)度的原因,是由于實(shí)際晶體中存在大量的()
A.晶界
B.亞晶界
C.空位
D.位錯(cuò)
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】晶體的缺陷有哪些?以及各種缺陷對(duì)晶體性能的影響?
答案:
(1)點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷。
(2)如果金屬中無(wú)晶體缺陷時(shí),通過(guò)理論計(jì)算具有極高的強(qiáng)度,隨著晶體中缺陷的增加...
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