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問答題
【計(jì)算題】已知突變PN結(jié)零偏勢(shì)壘電容為3pF，內(nèi)建勢(shì)壘電壓為0.5V，計(jì)算10V反偏電壓時(shí)的勢(shì)壘電容。
答案：
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問答題
【簡(jiǎn)答題】與CMOS工藝相比，GaAs工藝有什么主要特點(diǎn)？
答案：
與CMOS工藝相比，GaAs工藝具有速度高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。但其缺點(diǎn)是價(jià)格高、功耗大、成品率低。
問答題
【簡(jiǎn)答題】GaAs HEMT與MESFET的主要區(qū)別是什么？
答案：
HEMT也屬于FET的一種，它有與MESFET相似的結(jié)構(gòu)。HEMT與MESFET之間的區(qū)別在于有源層。
