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單項選擇題

單管DRAM位線上的分布電容電荷大，降低了存儲高電平的電位，僅達(dá)到（），因此需要增加靈敏恢復(fù)/放大電路放大電壓，達(dá)到高電平的值。

A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V

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多項選擇題

四管動態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是（）。

A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平

單項選擇題

QDR SDRAM為（）。

A.同步動態(tài)隨機存儲器
B.異步靜態(tài)隨機存儲器
C.2倍速同步隨機存儲器
D.4倍速同步動態(tài)隨機存儲器