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問答題

【簡答題】簡述半導(dǎo)體的形成過程。

答案：在四價(jià)的半導(dǎo)體硅單晶中摻入五價(jià)的雜質(zhì)砷，多出一個(gè)電子，這個(gè)多余的電子能級離導(dǎo)帶很近，比滿帶中的電子更易激發(fā)，這種多余電子...

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雜質(zhì)缺陷：摻雜
組分缺陷：
i:陽離子空位—捕獲空穴...

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答案：（1）晶體結(jié)構(gòu)：離子電荷高、半徑大，電導(dǎo)率?。?結(jié)構(gòu)緊密，活化能大，電導(dǎo)率?。?br />（2）晶格缺陷：熱激勵(lì)形成晶格...

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