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【簡答題】為什么說InP適合做發(fā)光器件和OEIC?
答案:
InP中電子與空穴的復(fù)合是直接進行的
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答案:
MESFET、HEMT和HBT三種有源器件。
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【簡答題】與Si材料相比,GaAs具有哪些優(yōu)點?
答案:
1.GaAs中非平衡少子飽和漂移速率大約是Si的4倍
2.在GaAs中,電子和空穴可直接復(fù)合,而Si不行
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