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【簡答題】高電子遷移率晶體管(HEMT)速度高的主要原因是什么?
答案:
器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子,即二維電子氣。
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【簡答題】進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么?
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改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力
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【簡答題】為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)?
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對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
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