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問答題

【簡(jiǎn)答題】基于物理的深亞微米MOSFET模型考慮了哪些內(nèi)容？

答案：內(nèi)容：
（1）閾值電壓下降；
（2）非均勻摻雜效應(yīng)；
（3）垂直電場(chǎng)引起的遷移率下降；

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【簡(jiǎn)答題】美國(guó)加州伯克利分校在20世紀(jì)70年代末推出的SPICE軟件中包含的三個(gè)內(nèi)建MOS場(chǎng)效應(yīng)管模型是什么？

答案：

1級(jí)模型通過電流-電壓的平方律特性描述；
2級(jí)模型是一個(gè)詳盡解析的MOS場(chǎng)效應(yīng)管模型；
3級(jí)模型是一個(gè)半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀?/p>

【簡(jiǎn)答題】雙極型晶體管的GP模型是由誰于哪一年提出的？

答案：

1970年H.K.Gummel和H.C.Poon提出的。

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