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問(wèn)答題
【計(jì)算題】對(duì)1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為1和0時(shí)單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。
答案：
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試問(wèn)單管DRAM單元的讀出是不是破壞性的？怎樣補(bǔ)充這一不足？（選作）有什么辦法提高refresh time？
答案：
單管DRAM單元的讀出是破壞性的，存放在單元中的電荷數(shù)量在讀操作期間會(huì)被修改，因此為了使一次讀操作后再恢復(fù)它原來(lái)的值，單...
