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問答題

【計算題】
電路如圖所示，BJT中VT₁、VT₂、VT₃均為硅管，設(shè)β₁＝β₂＝50，β₃＝80，|U_BE|＝0.7V，當(dāng)u_i＝0時，u_O＝0V。
（1）估算各級的靜態(tài)電流I_C3、I_C2、I_E，管壓降U_CE3、U_CE2及R_E2的值；
（2）總的電壓增益A_U＝A_uD2·A_u2；
（3）當(dāng)u_i＝5mV時，u_O＝？
（4）當(dāng)輸出端接一R_L＝12kΩ的負(fù)載時，電壓增益為多少？

答案：

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共模抑制比K_CMR是（）之比，因此K_CMR越大，表明電路的（）性能越好。

答案：差模增益與共模增益；對共模信號（如噪聲）的抑制

【計算題】
多級放大電路如圖所示。
（1）用瞬時變化極性法判別T₁和T₂的兩個基極（b₁和b₂）中哪個是同相輸入端，哪個是反相輸入端，分別標(biāo)以＋和－；
（2）為了降低電路的輸出電阻，應(yīng)如何連接反饋電阻R_f，試在圖上畫出連線，并說明是哪種反饋極性和組態(tài)；
（3）在滿足深度負(fù)反饋條件下，試寫出閉環(huán)電壓增益的近似表達(dá)式。

答案：

（1）b₁為反相輸入端，b₂為同相輸入端；
（2）電壓并聯(lián)負(fù)反饋，R_f接在e₄和b₁間；
（3）由，即得。

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